-
1 сильнолегированный слой
Engineering: high-concentration layerУниверсальный русско-английский словарь > сильнолегированный слой
-
2 сильнолегированный слой
Русско-английский словарь по микроэлектронике > сильнолегированный слой
-
3 сильнолегированный слой
Русско-английский политехнический словарь > сильнолегированный слой
См. также в других словарях:
сильнолегированный слой — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
couche fortement dopée — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
high-concentration layer — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
highly-doped layer — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
hochdotierte Schicht — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
stipriai legiruotas sluoksnis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Принц-технология — Принц технология метод формирования трёхмерных микро и наноструктур, основанный на отделении напряжённых полупроводниковых плёнок от подложки и последующего сворачивания их в пространственный объект. Технология названа в честь учёного… … Википедия